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IXTH 20N60
IXTM 20N60
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
10
9
8
7
V DS = 300V
I D = 20A
I G = 10mA
100
10
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
6
5
4
1ms
10ms
3
2
1
0
1
0.1
100ms
0
20
40
60
80
100
120
140
1
10
100
600
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4500
4000
3500
3000
C iss
f = 1 MHz
V DS = 25V
80
70
60
50
2500
2000
1500
40
30
T J = 125°C
T J = 25°C
1000
500
0
C oss
C rss
20
10
0
0
5
10
15
20
25
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1
V CE - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V SD - Volts
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
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